講演情報
[17p-W8E_308-3]半磁束量子回路論理ゲートにおける高βc接合の影響評価(2)
〇稲垣 賢信1、出口 創万1、李 峰1、藤巻 朗1、田中 雅光1 (1.名大)
キーワード：
超伝導、ジョセフソン接合、半磁束量子回路
本研究では、単一磁束量子回路の0接合をπ接合を含む0-π SQUIDに置換した半磁束量子論理ゲートにおいて、高βc接合およびアンシャント化が高速動作に与える影響を解析した。アンシャント接合を用いても動作マージンの大幅な低下は見られず、遅延時間は約1/3に短縮された。一方、高バイアス電圧では位相振動によりセットアップ・ホールド時間が増大するが、低バイアス電圧ではその影響が抑制される。