講演情報
[18a-PB1-16]g-C3N4/DPP-DTT 薄膜ヘテロ接合のフォトダイオード特性
〇(M1)柳澤 宙輝1、野田 啓1 (1.慶應大理)
キーワード：
フォトダイオード、g-C3N4、有機半導体
フォトダイオードは、現代社会に欠かせないデバイスとして盛んに研究されている。その中で我々は、可視光応答性を持ち、メタルフリーなn型有機半導体材料である、高分子状窒化炭素g-C3N4に注目し、そのフォトダイオードとしての応用への可能性を検証してきた。以前の発表では、ポリ (3-ヘキシルチオフェン: P3HT) との薄膜ヘテロ接合を有するフォトダイオードを作製し、その特性評価結果について報告した。本発表では、ドナー層をP3HTからジケトピロロピロール-ジチエノチオフェン高分子 (DPP-DTT) に変更したフォトダイオードを作製し、その電流電圧特性評価を実施した結果について報告する。