[18p-S2_201-1~8] 10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）

15:00 〜 15:15英語発表

[18p-S2_201-6] Voltage effect of magnetic tunnel junction using a decelerated scanning electron beam

〇Hiroki Koizumi^1,2,3, Kresna B.Fathoni², Yasuaki Yamamoto⁴, Zhenchao Wen², Hiroaki Sukegawa², Seiji Mitani², Atsufumi Hirohata^1,5 (1.Tohoku Univ., 2.NIMS, 3.Univ. of Tsukuba, 4.JEOL, 5.MPI)

キーワード：

Scanning electron microscope、Magnetic tunnel junctions