[18p-S2_201-1~8] 10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）

15:15 〜 15:30

[18p-S2_201-7] キラルイオンゲートによるトポロジカル表面状態の磁性制御

〇松岡 秀樹¹、森山 天貴²、堀 智洋^1,3、十倉 好紀^3,4,5、岩佐 義宏^3,4、関 修平²、須田 理行^2,6、金澤 直也¹ (1.東大生研、2.京大工、3.東大工、4.理研CEMS、5.東京カレッジ、6.名大理)

キーワード：

CISS、イオンゲート、トポロジー

キラル対称性の破れは、CISSに代表されるように、従来の対称性操作を超えたスピン・磁性制御の可能性を秘めている。本研究では、トポロジカル表面状態に由来する表面強磁性を示すFeSi(111)薄膜において、キラルイオン液体を用いたゲート制御による磁性制御を実現したため、その結果を報告する。発表では、イオンゲートを介した磁性パラメータの変調の詳細や、キラル液体に特有のドメイン偏極の発現について報告する。