講演情報
[18p-S2_202-2]シリコン量子ビットの読み出し条件におけるエネルギー緩和時間の量子ドット間エネルギー差依存性
〇溝口 来成1、松岡 竜太郎1、太田 俊輔1、柳 至2、峰 利之2、土屋 龍太2、久本 大2、水野 弘之2、小寺 哲夫1 (1.東京科学大、2.日立研開)
キーワード：
量子ドット、シリコン
高温でのシリコン量子ドット中の電子スピン読み出しに必須とされるパウリスピン閉塞(PSB)というスピン読み出し手法において、読み出し点のエネルギー緩和時間(T_1M)は読み出し忠実度を決める重要なパラメータであるが、その特性の詳細は明らかとされていない。本研究では、PSBを利用して、スピンの初期化と読み出しを繰り返し行い、量子ドット間エネルギー差が異なる読み出し条件において、T_1Mを評価した。