講演情報
[18p-S2_202-6]Sidewall spacer構造を有するエピタキシャルNbN/AlN/NbN接合トランズモン量子ビットの高量子寿命化
〇(M2)本田 浩輝1、栗原 大輝1、内田 徳之新1、沓間 弘樹1、寺井 弘高2、山下 太郎1 (1.東北大院工、2.情通機構)
キーワード：
超伝導量子ビット、sidewall spacer構造、NbN/AlN/NbNジョセフソン接合
エピタキシャル成長したNbN/AlN/NbN接合量子ビットは，現在主流のAl接合量子ビットに比べ欠陥二準位系に起因するデコヒーレンスの抑制が期待されている．我々はコヒーレンス特性の大幅な改善が報告されたNb接合量子ビットに導入されたsidewall spacer構造に着目し，同構造を有するNbN接合の作製技術を開発した．本研究では，高抵抗Si基板上に同接合を有する量子ビットを作製し特性を評価した．