講演情報

13:20 〜 13:35

[2-22A]TiO₂キャップ層を用いたVO₂薄膜へのプロトン脱挿入の制御《物性》

*藤颯太¹、謝玲玲¹、麻生亮太郎³、間嶋拓也²、島川祐一¹、菅大介¹ (1. 京都大学化学研究所、2. 京都大学大学院工学研究科、3. 九州大学大学院工学研究科）（※この発表者は優秀講演発表賞の対象者です。)

二酸化バナジウム薄膜、プロトン脱挿入