[C-10] 電子デバイス

9:45 〜 10:00

[C-10-01] CO₂レーザドーピングにより作製したSiC pnダイオードの特性評価

〇池田 晃裕¹、児玉 康司²、米谷 和幸² (1. 崇城大学、2. （株）精電舎電子工業)

キーワード：

レーザードーピング、SiC、pn ダイオード