セッション詳細

[C-10]電子デバイス

2024年9月10日(火) 9:45 〜 11:00
本館2号館 2階 2-276(日本工業大学)
座長:小山 政俊(大阪工業大学)、山本 佳嗣(三菱電機(株))

[C-10-01]CO2レーザドーピングにより作製したSiC pnダイオードの特性評価

〇池田 晃裕1、児玉 康司2、米谷 和幸2 (1. 崇城大学、2. (株)精電舎電子工業)
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[C-10-02]TMR素子を用いたシリコン量子ドットの測定方式の検討

〇小松 誠治1、河原 尊之1 (1. 東京理科大学工学研究科電気工学専攻)
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[C-10-03]多結晶 Si 基板に基づく窒化物半導体ナノ柱状結晶のカソードルミネセンス分析

〇△薛 后耀1、苟 書航1、齋藤 翼1、佐藤 祐一1 (1. 秋田大学)
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[C-10-04]主光線角度に応じたプラズモニック回折によるSiイメージセンサの近赤外感度向上

◎△岡﨑 幸也1、吉永 崇仁1、橋本 和磨1、寺西 信一2、小野 篤史1,2 (1. 静岡大学、2. 静岡大学電子工学研究所)
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[C-10-05]デュアルゲート酸化物半導体薄膜トランジスタを用いた電圧制御リングオシレータによる発振周波数と消費電力の最適化

◎時元 康貴1、Muhamad Affiq Bin Misran1、服部 励治1 (1. 九州大学大学院総合理工学府)
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