Presentation Information
[19a-A202-5]Epitaxial growth of TaS2 thin films by chemical vapor deposition
〇Takashi Yanase1, Miu Ebashi1, Toshihiro Shimada2 (1.Toho Univ., 2.Hokkaido Univ.)
Keywords:
transition metal dichalcogenide,chemical vapor deposition,tantalum disulfide
独自開発した流路分離式化学気相蒸着装置を用い, TaCl5と硫黄を原料として2次元物質であるTaS2シートの合成を行った。得られた膜はエピタキシャルに成長しており, 三角ドメインが一方向に整列している。ドメインの大きさは約5µmであった。また, X線回折からもc軸配向を確認した。さらに, Ramanスペクトルから2H型のTaS2に対応する振動モードが観測されTaS2の合成に成功していると結論付けた。