Presentation Information
[19a-A202-8]Highly-aligned epitaxial growth of wafer-scale monolayer MoS2 by MOCVD
〇Yoshiki Sakuma1, Xu Yang1, Yuki Ono2, Shisheng Li1, Takanobu Hiroto1, Jun Nara1, Michio Ikezawa3, Takashi Matsumoto2 (1.NIMS, 2.Tokyo Electron Technology Solutions Ltd., 3.Tsukuba Univ.)
Keywords:
TMDC,MoS2,MOCVD
我々はMoS2やWS2などのTMDC単層膜の成膜法として、遷移金属元素のプリカーサにオキシクロライド（MoO2Cl2やWOCl4）を用いることを特徴としたMOCVD方式の成膜技術を開発してきた。この手法はスケーラビリティやプロセス再現性に優れるほか、カーボン不純物のない高品質結晶が期待できる。今回、2インチのC面サファイア基板全面に、単層MoS2のエピタキシャル連続膜を実現することを目的に、成膜条件と面内配向性の関係を調査したので報告する。