講演情報
[19a-A202-8]MOCVD法によるウエハスケール単層MoS2の高配向エピタキシャル成長
〇佐久間 芳樹1、楊 旭1、小野 佑樹2、李 世勝1、廣戸 孝信1、奈良 純1、池沢 道男3、松本 貴士2 (1.物材機構、2.東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ㈱、3.筑波大物理)
キーワード：
遷移金属ダイカルコゲナイド,MoS2,MOCVD
我々はMoS2やWS2などのTMDC単層膜の成膜法として、遷移金属元素のプリカーサにオキシクロライド（MoO2Cl2やWOCl4）を用いることを特徴としたMOCVD方式の成膜技術を開発してきた。この手法はスケーラビリティやプロセス再現性に優れるほか、カーボン不純物のない高品質結晶が期待できる。今回、2インチのC面サファイア基板全面に、単層MoS2のエピタキシャル連続膜を実現することを目的に、成膜条件と面内配向性の関係を調査したので報告する。