[19a-A301-1~10] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)

[19a-A301-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Atomic-Scale and Real-Time Observation of Solid-Phase Epitaxial Growth in Thin Silicon Film using in situ Heating High-Resolution TEM

〇Manabu Tezura¹, Takanori Asano¹, Riichiro Takaishi¹, Mitsuhiro Tomita¹, Masumi Saitoh¹, Hiroki Tanaka¹ (1.Kioxia Corp.)

Keywords:

poly-Si channel,solid phase crystallization,in situ TEM

多結晶Siチャネルを模した薄膜Si内で微結晶Siと結晶化していないアモルファス領域の局所的な界面において、Si原子面が一層ずつ形成される固相エピタキシャル(SPE)成長の素過程を原子スケールリアルタイム観察した。その結果、理想的(連続的)なSPE成長と不連続なSPE成長の存在を初めて区別できた。また、不連続なSPE成長を介し粒内欠陥が形成されることを見出し、そのメカニズムについて議論している。