[19a-A301-1~10] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[19a-A301-2] Nucleation control for low defects and high mobility in polycrystalline GeSn thin films

〇Shintaro Maeda¹, Takamitsu Ishiyama¹, Kenta Moto², Keisuke Yamamoto², Takashi Suemasu¹, Kaoru Toko¹ (1.Univ. of Tsukuba, 2.Kyushu Univ.)

Keywords:

Germanium,Thin film,Solid phase crystallization

薄膜トランジスタの高速化に向けて、絶縁体基板上にGe系薄膜を合成する研究が活発化している。しかし、トランジスタ応用に望ましい薄い膜（≤ 50 nm）では結晶粒径、電気的特性の顕著な劣化が課題である。特にGeの固相成長では過剰な基板界面核発生が原因であるため、核発生の制御により薄い膜の結晶粒径と電気的特性の改善を検討した。