講演情報
[19a-A301-2]核発生制御による多結晶GeSn薄膜の低欠陥・高移動度化
〇前田 真太郎1、石山 隆光1、茂藤 健太2、山本 圭介2、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大院、2.九州大院)
キーワード：
ゲルマニウム,薄膜,固相成長
薄膜トランジスタの高速化に向けて、絶縁体基板上にGe系薄膜を合成する研究が活発化している。しかし、トランジスタ応用に望ましい薄い膜（≤ 50 nm）では結晶粒径、電気的特性の顕著な劣化が課題である。特にGeの固相成長では過剰な基板界面核発生が原因であるため、核発生の制御により薄い膜の結晶粒径と電気的特性の改善を検討した。