Presentation Information
[19a-A301-7]Linear agglomeration during the CW-laser lateral-crystallization of Si films (3)
〇Rikuto Sasai1, Nobuo Sasaki1,2, Satoshi Takayama1, Yukiharu Uraoka1 (1.NAIST, 2.Sasaki Consulting)
Keywords:
LTPS,Laser Anneal
CWレーザラテラル結晶化（CLC）では、基板温度を低く保ったまま絶縁膜上に(100)配向の結晶粒界の無い(GB-Free)高品質 Si 薄膜を得ることができ、monolithic 三次元ICsや、system FPDs、wearable devicesへの応用が期待される。(100) GB-Free Si 膜に造られた TFT は、～700 cm2 /Vs の高 field effect 移動度、および等方的 な基板面内電気特性を示す。ここで、CLC 照射パワーを、GB-Free の最適結晶化条件より大きくしていくと、偶発的な線状 agglomeration の発生が見られるようになる。このagglomerationの断面構造をAFM解析により検討した。