講演情報
[19a-A301-7]Si薄膜のレーザ結晶化における線状Agglomeration(Ⅲ)
〇笹井 陸杜1、佐々木 伸夫1,2、高山 智之1、浦岡 行治1 (1.奈良先端大、2.Sasaki Consulting)
キーワード：
低温ポリシリコン,レーザアニール
CWレーザラテラル結晶化（CLC）では、基板温度を低く保ったまま絶縁膜上に(100)配向の結晶粒界の無い(GB-Free)高品質 Si 薄膜を得ることができ、monolithic 三次元ICsや、system FPDs、wearable devicesへの応用が期待される。(100) GB-Free Si 膜に造られた TFT は、～700 cm2 /Vs の高 field effect 移動度、および等方的 な基板面内電気特性を示す。ここで、CLC 照射パワーを、GB-Free の最適結晶化条件より大きくしていくと、偶発的な線状 agglomeration の発生が見られるようになる。このagglomerationの断面構造をAFM解析により検討した。