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11:00 AM - 11:15 AM JST(2:00 AM - 2:15 AM UTC)

[19a-A301-8]Infinite growth of single crystal (001) strip in Ge films by micro chevron laser scanning

〇WENCHANG YEH¹, Takashi Osato¹ (1.Shimane Univ.)

Germanium,Thin film,Laser

SiO₂上の60nm-Ge膜に (001)<100>単結晶帯を無限成長した。Ge単結晶帯は強い引張歪を持つ。本方法によりエピ成長法に付きまとう格子定数の制限から解放され、SiO₂下地をベースにした様々な機能性薄膜の単結晶帯を集積できるようになる。