講演情報

11:00 〜 11:15

[19a-A301-8]マイクロシェブロンレーザーによるGe薄膜の（001）単結晶帯無限成長

〇葉文昌¹、大里卓司¹ (1.島大総合理工)

ゲルマニウム,薄膜,レーザー

SiO₂上の60nm-Ge膜に (001)<100>単結晶帯を無限成長した。Ge単結晶帯は強い引張歪を持つ。本方法によりエピ成長法に付きまとう格子定数の制限から解放され、SiO₂下地をベースにした様々な機能性薄膜の単結晶帯を集積できるようになる。