Presentation Information
[19a-A302-10]Electron transport properties of B+-implanted amorphous-InGaZnSnO film
〇Keisuke Yasuta1, Yuya Yamane1, Toshimasa Ui1, Toshihiko Sakai2, Masaki Fujiwara2, Daisuke Azuma2, Yasunori Andoh2, Junichi Tatemichi1 (1.Nissin Ion Equipment Co., Ltd., 2.Nissin Electric Co., Ltd.)
Keywords:
oxide semiconductor,flat panel display,ion implatation
a-InGaZnSnO (a-IGZTO)は、a-InGaZnOの2倍以上の移動度を持ち、次世代フラットパネルディスプレイへの応用に向け研究・開発が進められているが、イオン注入によるa-IGZTO膜の低抵抗化の挙動は明らかでない。本研究では、a-IGZTO膜へB+注入を行い、電子輸送特性を調査した。その結果、a-IGZTO膜中におけるB+ 1個あたりのキャリア生成率が明らかになった。