講演情報
[19a-A302-10]B+注入されたアモルファスInGaZnSnO膜の電子輸送特性
〇安田 圭佑1、山根 裕也1、宇井 利昌1、酒井 敏彦2、藤原 将喜2、東 大介2、安東 靖典2、立道 潤一1 (1.日新イオン機器、2.日新電機)
キーワード：
酸化物半導体,フラットパネルディスプレイ,イオン注入
a-InGaZnSnO (a-IGZTO)は、a-InGaZnOの2倍以上の移動度を持ち、次世代フラットパネルディスプレイへの応用に向け研究・開発が進められているが、イオン注入によるa-IGZTO膜の低抵抗化の挙動は明らかでない。本研究では、a-IGZTO膜へB+注入を行い、電子輸送特性を調査した。その結果、a-IGZTO膜中におけるB+ 1個あたりのキャリア生成率が明らかになった。