Presentation Information
[19a-A302-2]Cross-Sectional STEM Observation of Polycrystalline Defects in (011) HVPE-grown β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes
〇(M1)Yuto Otsubo1, Sayleap Sdoeung1, Kohei Sasaki2, Akito Kuramata2, Makoto Kasu1 (1.Saga Univ., 2.Novel Crystal Technology, Inc.)
Keywords:
beta-gallium oxide,killer defect,Schottky barrier diode
β型酸化ガリウムは, 4.5-4.8 eVの非常に広いバンドギャップを有する半導体であり，次世代の低損失パワーデバイスとして期待されている．パワーデバイス応用には，オフ耐圧特性を低下，リーク電流をおこすキラー欠陥の低減が重要である．我々は転位密度が低いと報告がある(011)面にSBDを作製し，欠陥を調査し，多結晶欠陥がキラー欠陥と同定した．今回は，この多結晶欠陥の走査透過型電子顕微鏡(STEM)で断面観察を行い，多結晶欠陥を観察した．