講演情報
[19a-A302-2](011)面方位HVPE β型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの多結晶欠陥の断面STEM観察
〇(M1)大坪 優斗1、スダーン セイリープ1、佐々木 公平2、倉又 朗人2、嘉数 誠1 (1.佐賀大院工、2.（株）ノベルクリスタルテクノロジー)
キーワード：
β型酸化ガリウム,キラー欠陥,ショットキーバリアダイオード
β型酸化ガリウムは, 4.5-4.8 eVの非常に広いバンドギャップを有する半導体であり，次世代の低損失パワーデバイスとして期待されている．パワーデバイス応用には，オフ耐圧特性を低下，リーク電流をおこすキラー欠陥の低減が重要である．我々は転位密度が低いと報告がある(011)面にSBDを作製し，欠陥を調査し，多結晶欠陥がキラー欠陥と同定した．今回は，この多結晶欠陥の走査透過型電子顕微鏡(STEM)で断面観察を行い，多結晶欠陥を観察した．