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9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[19a-A302-3]Epitaxial growth of β-(Sc_xGa_1−x)₂O₃ thin films with in-plane compressive strain

〇Kazuki koreishi¹, Takuto Soma¹, Akira Ohtomo¹ (1.Tokyo Tech., Dept. Chem. Sci. Eng.)

Epitaxial growth,strain,Bandgap

我々はβ-Ga₂O₃薄膜におけるエピタキシャル歪みとバンドギャップ(E_g)との関係に注目している．今回はβ-Ga₂O₃(100)基板上にコヒーレント成長したβ-(Sc_xGa_1−x)_²O₃薄膜を作製してE_gを測定し，E_gの組成・歪み量依存性を調査した．