講演情報

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[19a-A302-3]面内圧縮歪みを有するβ-(Sc_xGa_1−x)₂O₃ 薄膜のエピタキシャル成長

〇是石和樹¹、相馬拓人¹、大友明¹ (1.東工大物質理工)

エピタキシャル成長,歪み,バンドギャップ

我々はβ-Ga₂O₃薄膜におけるエピタキシャル歪みとバンドギャップ(E_g)との関係に注目している．今回はβ-Ga₂O₃(100)基板上にコヒーレント成長したβ-(Sc_xGa_1−x)_²O₃薄膜を作製してE_gを測定し，E_gの組成・歪み量依存性を調査した．