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10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[19a-A302-6]Electrical conduction of Ge-doped α-Ga₂O₃ film and its application to Schottky barrier diode

〇Takeru Wakamatsu¹, Yuki Isobe¹, Hitoshi Takane¹, Kentaro Kaneko^1,2, Katsuhisa Tanaka¹ (1.Kyoto Univ., 2.Ritsumeikan Univ.)

gallium oxide,germanium,mist-CVD

α-Ga₂O₃は5.6 eVのバンドギャップをもつ超ワイドバンドギャップ半導体としてパワーデバイスへの応用が期待されている。本研究では、ミストCVD法によって得られるGeドープα-Ga₂O₃薄膜の電気伝導特性を明らかにするとともにショットキーバリアダイオード(SBD)の作製を試みた。