[19a-A302-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[19a-A302-6] Geドープα-Ga₂O₃薄膜の電気伝導特性とショットキーバリアダイオードへの応用

〇若松 岳¹、磯部 優貴¹、高根 倫史¹、金子 健太郎^1,2、田中 勝久¹ (1.京大院工、2.立命館大総研)

キーワード：

酸化ガリウム,ゲルマニウム,ミストCVD

α-Ga₂O₃は5.6 eVのバンドギャップをもつ超ワイドバンドギャップ半導体としてパワーデバイスへの応用が期待されている。本研究では、ミストCVD法によって得られるGeドープα-Ga₂O₃薄膜の電気伝導特性を明らかにするとともにショットキーバリアダイオード(SBD)の作製を試みた。