講演情報
[19a-A302-6]Geドープα-Ga2O3薄膜の電気伝導特性とショットキーバリアダイオードへの応用
〇若松 岳1、磯部 優貴1、高根 倫史1、金子 健太郎1,2、田中 勝久1 (1.京大院工、2.立命館大総研)
キーワード：
酸化ガリウム,ゲルマニウム,ミストCVD
α-Ga2O3は5.6 eVのバンドギャップをもつ超ワイドバンドギャップ半導体としてパワーデバイスへの応用が期待されている。本研究では、ミストCVD法によって得られるGeドープα-Ga2O3薄膜の電気伝導特性を明らかにするとともにショットキーバリアダイオード(SBD)の作製を試みた。