Presentation Information
[19a-B101-7]Electronic States at the Interface of β-Nb2N/AlN Superlattices
〇Takahiro Kawamura1, Toru Akiyama1, Atsushi Kobayashi2 (1.Mie Univ., 2.Tokyo Univ. Science)
Keywords:
AlN,NbN,first principles calculation
超伝導体材料である窒化ニオブ（NbNx）はAlNやGaNと格子整合性が良いため、ヘテロ構造や超格子構造の作成が可能である。その特徴を生かして窒化物半導体とNbNxを組み合わせた新規デバイスの開発が期待されているが、そのためには窒化物半導体とNbNxのヘテロ界面構造や超格子などの特性に関する知見が必要である。そこで本研究では六方晶構造のβ-NbNxとAlNで構成された超格子構造の特性を明らかにすることを目的として、第一原理計算を用いて界面近傍の電子状態を調べた。