講演情報
[19a-B101-7]β-Nb2N/AlN超格子構造における界面の電子状態の解析
〇河村 貴宏1、秋山 亨1、小林 篤2 (1.三重大院工、2.東京理科大)
キーワード：
窒化アルミニウム,窒化ニオブ,第一原理計算
超伝導体材料である窒化ニオブ（NbNx）はAlNやGaNと格子整合性が良いため、ヘテロ構造や超格子構造の作成が可能である。その特徴を生かして窒化物半導体とNbNxを組み合わせた新規デバイスの開発が期待されているが、そのためには窒化物半導体とNbNxのヘテロ界面構造や超格子などの特性に関する知見が必要である。そこで本研究では六方晶構造のβ-NbNxとAlNで構成された超格子構造の特性を明らかにすることを目的として、第一原理計算を用いて界面近傍の電子状態を調べた。