Presentation Information
[19p-A202-14]HfS2 Film Formation by RF Magnetron Sputtering using Powder HfS2 Target
〇Taichi Ishikawa1, Yukihito Nishi1, Hitoshi Wakabayashi2, Ryo Yokogawa1,3, Atsushi Ogura1,3 (1.Meiji Univ., 2.Tokyo Tech, 3.Meiji Renewable Laboratory)
Keywords:
TMD,HfS2,sputtering
二硫化ハフニウム(HfS2)は遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)のなかでも高電子移動度を有し、バンドギャップが約1.2 eVであることから優れたチャネル材料として有望視されている。一方HfS2は化学的に不安定でスパッタターゲットの製造が困難である。我々は大面積かつ低温で薄膜作製が可能なスパッタ法によるHfS2作製を目指し、粉体HfS2ターゲットを用いたスパッタ法による製膜を試み、得られた膜の結晶状態を詳細に分析した。