講演情報
[19p-A202-14]粉体HfS2ターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタ法によるHfS2膜の作製
〇石川 太一1、西 優貴人1、若林 整2、横川 凌1,3、小椋 厚志1,3 (1.明治大理工、2.東工大、3.明大MREL)
キーワード：
遷移金属ダイカルコゲナイド,二硫化ハフニウム,スパッタ法
二硫化ハフニウム(HfS2)は遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)のなかでも高電子移動度を有し、バンドギャップが約1.2 eVであることから優れたチャネル材料として有望視されている。一方HfS2は化学的に不安定でスパッタターゲットの製造が困難である。我々は大面積かつ低温で薄膜作製が可能なスパッタ法によるHfS2作製を目指し、粉体HfS2ターゲットを用いたスパッタ法による製膜を試み、得られた膜の結晶状態を詳細に分析した。