[19p-A202-8~15] 17.3 Layered materials

5:45 PM - 6:00 PM JST(8:45 AM - 9:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[19p-A202-15] Zr_xHf_1-xS₂ Alloy Film Formation by RF Magnetron Sputtering Co-deposition using Powder HfS₂ Target

〇Yukihito Nishi¹, Taichi Ishikawa¹, Hitoshi Wakabayashi², Ryo Yokogawa^1,3, Atsushi Ogura^1,3 (1.Meiji Univ., 2.Tokyo Tech, 3.MREL)

Keywords:

TMD,Alloy Film Formation,Sputtering

我々は遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)の中でも二硫化ジルコニウム(ZrS₂)および二硫化ハフニウム(HfS₂)に着目し、Zr_xHf_1-xS₂混晶膜の作製を検証してきた。しかし、HfS₂では金属ハフニウム(Hf)ターゲットを使用していたため、混晶膜の作製は困難であった。本研究では粉体HfS₂ターゲットを用いて、焼結ZrS₂ターゲットとともに共スパッタ法によりZr_xHf_1-xS₂混晶膜を作製した。