[19p-A202-8~15] 17.3 層状物質

17:45 〜 18:00奨励賞エントリー

[19p-A202-15] 粉体HfS₂ターゲットを用いた共スパッタ法でのZr_xHf_1-xS₂混晶膜の作製

〇西 優貴人¹、石川 太一¹、若林 整²、横川 凌^1,3、小椋 厚志^1,3 (1.明治大理工、2.東工大、3.明大MREL)

キーワード：

遷移金属ダイカルコゲナイド,混晶膜,スパッタ法

我々は遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)の中でも二硫化ジルコニウム(ZrS₂)および二硫化ハフニウム(HfS₂)に着目し、Zr_xHf_1-xS₂混晶膜の作製を検証してきた。しかし、HfS₂では金属ハフニウム(Hf)ターゲットを使用していたため、混晶膜の作製は困難であった。本研究では粉体HfS₂ターゲットを用いて、焼結ZrS₂ターゲットとともに共スパッタ法によりZr_xHf_1-xS₂混晶膜を作製した。