Presentation Information
[19p-A301-5]P-type carrier doping to Cu(I) based semiconductors using complex defects with shallow acceptor
〇Kosuke Matsuzaki1, Yu Kumagai2, Fumiyasu Oba3, Hideo Hosono3 (1.AIST, 2.Tohoku Univ., 3.Titech)
Keywords:
carrier doping,defect complex
Cu(I)半導体の多くは良好な正孔輸送特性を示すため、重金属を含まない太陽電池の光吸収層や正孔輸送層として有望である。しかしCu(I)化合物では構成カチオンより低原子価の不純物を置換できないため、デバイス性能向上に不可欠なp型ドーピングが課題となる。本講演ではCu2Oに代表されるCu(I)半導体のp型ドーピングについて、等原子価のアルカリ金属不純物による複合欠陥形成法について紹介する。