講演情報
[19p-A301-5]複合欠陥を用いたCu(I)半導体材料へのp型ドーピング法の開発
〇松崎 功佑1、熊谷 悠2、大場 史康3、細野 秀雄3 (1.産総研、2.東北大、3.東工大)
キーワード:
キャリドーピング,複合欠陥
Cu(I)半導体の多くは良好な正孔輸送特性を示すため、重金属を含まない太陽電池の光吸収層や正孔輸送層として有望である。しかしCu(I)化合物では構成カチオンより低原子価の不純物を置換できないため、デバイス性能向上に不可欠なp型ドーピングが課題となる。本講演ではCu2Oに代表されるCu(I)半導体のp型ドーピングについて、等原子価のアルカリ金属不純物による複合欠陥形成法について紹介する。