[19p-A302-1~16] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

3:45 PM - 4:00 PM JST(6:45 AM - 7:00 AM UTC)

[19p-A302-11] Amorphous Ga₂O₃ thin films grown on quartz substrates using mist chemical vapor deposition

〇Kazuyuki Uno¹ (1.Wakayama Univ.)

Keywords:

gallium oxide,mist chemical vapor deposition,amorphous semiconductors

石英単結晶基板上にミストCVD法を用いてアモルファス酸化ガリウム薄膜を成長した。成長膜表面は高い平坦性をもっていた。平坦な表面はヘテロ接合形成といったデバイス応用上重要である。