[19p-A302-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

15:45 〜 16:00

[19p-A302-11] 石英基板上にミストCVD法を用いて成長したアモルファス酸化ガリウム薄膜

〇宇野 和行¹ (1.和歌山大システム工)

キーワード：

酸化ガリウム,ミストCVD法,アモルファス半導体

石英単結晶基板上にミストCVD法を用いてアモルファス酸化ガリウム薄膜を成長した。成長膜表面は高い平坦性をもっていた。平坦な表面はヘテロ接合形成といったデバイス応用上重要である。