[19p-A302-1~16] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

1:15 PM - 1:30 PM JST(4:15 AM - 4:30 AM UTC)

[19p-A302-2] Electrical properties of crystalline In-Ga-O films derived by atomic layer deposition

〇Hikaru Hoshikawa¹, Takanori Takahashi¹, Mutsunori Uenuma¹, Hidenori Kawanishi¹, Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST)

Keywords:

Oxide semiconductor,Atomic layer deposition method,indium gallium oxide

本研究グループでは、スパッタ法で成膜した三元系In-Ga-O (IGO) が高温熱処理耐性を有し、しきい値電圧の制御性に優れ、かつ膜厚10 nmまでスケーリングができることを報告した。一方で、微細な三次元集積デバイスには、スパッタ法よりも原子層堆積 (ALD) 法が適するがsuper-cycle法ではGa濃度と膜厚の制御が困難になる。そこで、本研究では集積デバイス応用に向けてALD法を用いた多結晶IGOの設計指針を確立するために、IGO膜の成長条件が組成比や結晶化温度、FETの電気特性に及ぼす影響を評価した。