[19p-A302-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

13:15 〜 13:30

[19p-A302-2] 原子層堆積法を用いた結晶性In-Ga-Oの成膜と電気的特性

〇星川 輝¹、高橋 崇典¹、上沼 睦典¹、河西 秀典¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大)

キーワード：

酸化物半導体,原子層堆積法,インジウムガリウム酸化物

本研究グループでは、スパッタ法で成膜した三元系In-Ga-O (IGO) が高温熱処理耐性を有し、しきい値電圧の制御性に優れ、かつ膜厚10 nmまでスケーリングができることを報告した。一方で、微細な三次元集積デバイスには、スパッタ法よりも原子層堆積 (ALD) 法が適するがsuper-cycle法ではGa濃度と膜厚の制御が困難になる。そこで、本研究では集積デバイス応用に向けてALD法を用いた多結晶IGOの設計指針を確立するために、IGO膜の成長条件が組成比や結晶化温度、FETの電気特性に及ぼす影響を評価した。