Presentation Information
[19p-B101-13]Electrical properties of Mg-doped Al0.35Ga0.65N contact/graded AlGaN layer
〇(M2)Hayata Takahata1, Tomoaki Kachi1, Maho Fujita1, Naoki Hamashima1, Ryunosuke Oka1, Hisanori Ishiguro1, Tetsuya Takeuchi1, Satoshi Kamiyama1, Motoaki Iwaya1, Yoshiki Saito2, Koji Okuno2 (1.Fac. Sci & Tec., Meijo Univ., 2.TOYODA GOSEI Co.,Ltd.)
Keywords:
Mg-doped AlGaN contact,Graded AlGaN
深紫外LEDの高効率化に向けて、光吸収の少ないMg添加AlGaNコンタクト層や組成傾斜AlGaN層が採用されている。今回、我々が実際にLEDに使用しているp側構造(60 nm組成傾斜AlxGa1-xN層（x:0.9→0.35）、10 nm Mg添加Al0.35Ga0.65Nコンタクト層)を用いてTLM測定とホール測定を行い、電気的特性を評価した。コンタクト抵抗は1.2Ωcm2、シート抵抗は1.7×105Ω/□が得られた。室温ホール測定を行った結果、n型伝導を示した。LEDにおいてホール注入している事実と整合しない結果となった。