[19p-B101-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

17:15 〜 17:30奨励賞エントリー

[19p-B101-13] Mg添加Al_0.35Ga_0.65Nコンタクト/組成傾斜AlGaN構造の電気的特性

〇(M2)高畑 勇汰¹、可知 朋晃¹、藤田 真帆¹、浜島 直紀¹、岡 龍之介¹、石黒 永孝¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、岩谷 素顕¹、齋藤 義樹²、奥野 浩司² (1.名城大・理工、2.豊田合成株式会社)

キーワード：

Mg添加AlGaNコンタクト,組成傾斜AlGaN

深紫外LEDの高効率化に向けて、光吸収の少ないMg添加AlGaNコンタクト層や組成傾斜AlGaN層が採用されている。今回、我々が実際にLEDに使用しているp側構造(60 nm組成傾斜Al_xGa_1-xN層（x:0.9→0.35）、10 nm Mg添加Al_0.35Ga_0.65Nコンタクト層)を用いてTLM測定とホール測定を行い、電気的特性を評価した。コンタクト抵抗は1.2Ωcm²、シート抵抗は1.7×10⁵Ω/□が得られた。室温ホール測定を行った結果、n型伝導を示した。LEDにおいてホール注入している事実と整合しない結果となった。