[19p-B101-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

5:45 PM - 6:00 PM JST(8:45 AM - 9:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[19p-B101-15] 428 nm SHG from a-Plane GaN Vertical Microcavity with Ultrashort Laser Pulses

〇(DC)Tomoaki Nambu^1,2, Tomohiro Nakahara^1,2, Yuma Yasuda^1,2, Yasufumi Fujiwara¹, Masayoshi Tonouti³, Masahiro Uemukai^1,2, Tomoyuki Tanikawa^1,2, Ryuji Katayama^1,2 (1.Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ., 2.OTRI-Spin, Osaka Univ., 3.ILE, Osaka Univ.)

Keywords:

GaN,SHG,microcavity

これまで我々は、高効率な微小共振器型第二高調波発生デバイスを提案してきた。本研究では、フェムト秒レーザーで励起したa面GaN垂直微小共振器型第二高調波発生デバイスを設計・作製し、理論値とほぼ同程度の規格化波長変換効率0.15%W^-1を得た。この成果は、共鳴増強の効果がより顕著な長パルスレーザーや連続波レーザーで励起する超小型・超高効率なデバイスの実現の可能性を示している。