講演情報
[19p-B101-15]超短パルスレーザ励起におけるa面GaN垂直微小共振器デバイスからの428 nm第二高調波発生
〇(DC)南部 誠明1,2、中原 智裕1,2、安田 悠馬1,2、藤原 康文1、斗内 政吉3、上向井 正裕1,2、谷川 智之1,2、片山 竜二1,2 (1.阪大院工、2.阪大OTRIスピン、3.阪大レーザ研)
キーワード：
GaN,第二高調波発生,微小共振器
これまで我々は、高効率な微小共振器型第二高調波発生デバイスを提案してきた。本研究では、フェムト秒レーザーで励起したa面GaN垂直微小共振器型第二高調波発生デバイスを設計・作製し、理論値とほぼ同程度の規格化波長変換効率0.15%W-1を得た。この成果は、共鳴増強の効果がより顕著な長パルスレーザーや連続波レーザーで励起する超小型・超高効率なデバイスの実現の可能性を示している。