[19p-B101-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)

[19p-B101-2] Improved Efficiency of Far-UV LEDs with Reduced Al Compositions of Barrier Layers

〇Kenjiro Uesugi^1,2, Shuhei Ichikawa^3,4, Takao Nakamura⁵, Masahiko Tsuchiya⁶, Kazunobu Kojima³, Hideto Miyake⁵ (1.ORIP, Mie Univ., 2.Grad. Sch. of RIS, Mie Univ., 3.Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ., 4.UHVEM, Osaka Univ., 5.Grad. Sch. of Eng., Mie Univ., 6.Stanley Electric Co.)

Keywords:

far-ultraviolet,light-emitting diodes,AlGaN

短波長のUV-LEDではキャリアのオーバーフローによる発光効率の低下が課題となる。本研究では、発光層中の障壁層のAl組成を低減することで波長230 nm帯UV-LEDの発光効率の改善を試みた。障壁層のAl組成を低減したことで、同一波長帯の素子を比較した際にEQEの向上が確認された。また、膜厚が厚いAlGaN単層からなる発光層を有する試料も高い発光効率を示すことが明らかとなった。