講演情報
[19p-B101-2]障壁層Al組成低減による遠紫外LEDの発光効率向上
〇上杉 謙次郎1,2、市川 修平3,4、中村 孝夫5、土谷 正彦6、小島 一信3、三宅 秀人5 (1.三重大研基機構、2.三重大院地域イノベ、3.阪大院工、4.阪大電顕セ、5.三重大院工、6.スタンレー電気)
キーワード：
遠紫外,LED,AlGaN
短波長のUV-LEDではキャリアのオーバーフローによる発光効率の低下が課題となる。本研究では、発光層中の障壁層のAl組成を低減することで波長230 nm帯UV-LEDの発光効率の改善を試みた。障壁層のAl組成を低減したことで、同一波長帯の素子を比較した際にEQEの向上が確認された。また、膜厚が厚いAlGaN単層からなる発光層を有する試料も高い発光効率を示すことが明らかとなった。