[19p-B101-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

3:15 PM - 3:30 PM JST(6:15 AM - 6:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[19p-B101-6] Effects of AlN Interlayer Thickness on AlN Templates on Sapphire Substrates

〇(M2)Tomoaki Kachi¹, Hayata Takahata¹, Ryunosuke Oka¹, Hisanori Ishiguro¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Motoaki Iwaya¹, Yoshiki Saito², Koji Okuno² (1.Meijo Univ., 2.TOYODA GOSEI Co.,Ltd)

Keywords:

semiconductor,AlN,UV-C LED

新型コロナウイルスの不活化手段としてAlGaN系UV-C LEDが注目されている。コスト面で有利なサファイア基板上の高品質AlNテンプレートが必要であり、Al原料の低いマイグレーションをカバーするため高温成長での高品質化が一般的である。一方で、クラックの発生やMOCVD装置への負荷が課題である。本発表では中間層の膜厚によりAlNテンプレートの表面状態が大きく変化し、低い成長温度（1200℃）でも平坦なAlNテンプレートが得られたので報告する。