講演情報
[19p-B101-6]サファイア基板上AlNテンプレートに対するAlN中間層膜厚の影響
〇(M2)可知 朋晃1、高畑 勇汰1、岡 龍乃介1、石黒 永孝1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1、齋藤 義樹2、奥野 浩司2 (1.名城大・理工、2.豊田合成)
キーワード：
半導体,AlN,深紫外LED
新型コロナウイルスの不活化手段としてAlGaN系UV-C LEDが注目されている。コスト面で有利なサファイア基板上の高品質AlNテンプレートが必要であり、Al原料の低いマイグレーションをカバーするため高温成長での高品質化が一般的である。一方で、クラックの発生やMOCVD装置への負荷が課題である。本発表では中間層の膜厚によりAlNテンプレートの表面状態が大きく変化し、低い成長温度（1200℃）でも平坦なAlNテンプレートが得られたので報告する。