[19p-B101-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

3:30 PM - 3:45 PM JST(6:30 AM - 6:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[19p-B101-7] Homoepitaxial regrowth of AlGaN chemically-mechanically polished

〇(M1)Ryoya Yamada¹, Ryosuke Kondo¹, Koki Hattori¹, Toma Nishibayashi¹, Yoshinori Imoto¹, Sho Iwayama¹, Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Hideto Miyake² (1.Meijo Univ, 2.Mie Univ)

Keywords:

nitride,UV LD

本グループでは，周期的に形成したAlNナノピラー上にAlGaNを再成長することにより，格子緩和した比較的高品質なAlGaNが実現している．またこのAlGaN上にUV-B領域のレーザダイオードを作製し室温パルス発振を実現している．その一方で，結晶表面には10の4乗程度のピットやヒロックが形成される．本報告では，AlNナノピラー上に成長したAlGaNテンプレートを化学機械研磨(CMP)処理し，AlGaNをホモエピタキシャル再成長する方法を検討した.