講演情報
[19p-B101-7]化学機械研磨したAlGaN上にホモエピタキシャル再成長
〇(M1)山田 凌矢1、近藤 涼輔1、服部 光希1、西林 到真1、井本 圭紀1、岩山 章1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、三宅 秀人2 (1.名城大学理工、2.三重大・院・工)
キーワード：
窒化物,紫外レーザ
本グループでは，周期的に形成したAlNナノピラー上にAlGaNを再成長することにより，格子緩和した比較的高品質なAlGaNが実現している．またこのAlGaN上にUV-B領域のレーザダイオードを作製し室温パルス発振を実現している．その一方で，結晶表面には10の4乗程度のピットやヒロックが形成される．本報告では，AlNナノピラー上に成長したAlGaNテンプレートを化学機械研磨(CMP)処理し，AlGaNをホモエピタキシャル再成長する方法を検討した.