[19p-B101-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

3:45 PM - 4:00 PM JST(6:45 AM - 7:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[19p-B101-8] Investigation of sharp hetero-interface formation in AlGaN-based UV-B LDs

〇(M2)Ryosuke Kondo¹, Koki Hattori¹, Yoshinori Imoto¹, Ryoya Yamada¹, Sho Iwayama¹, Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Hideto Miyake² (1.Meijo Univ., 2.Mie Univ.)

Keywords:

semiconductor,nitride,ultraviolet laser diode

AlGaN系紫外レーザダイオードの課題としてキャリア注入効率が低いことが挙げられる。この要因としてヘテロ界面形成時のComposition pulling effect によるヘテロ界面急峻性の低下が関係しており、この現象によりキャリア注入効率が減少していることを確認した。本報告では、Pulling層膜厚を減少することと同時に良好な光共振器形成可能な層構造の開発を行った結果について報告する。